SiSiC (Silicon-Infiltrated Silicon Carbide) seramiklerinin üretim süreci, aşağıdakileri içeren birkaç aşamadan oluşur:
1. Hammaddelerin hazırlanması: SiSiC seramiklerini yapmak için kullanılan hammaddeler, silisyum karbür tozu, silikon metal tozu ve fenolik reçine gibi bağlayıcı malzemeleri içerir. Bu malzemeler uygun oranlarda karıştırılır ve pres veya döküm yoluyla yeşil bir gövdeye dönüştürülür.
2. Ön sinterleme: Ham gövde, herhangi bir bağlayıcıyı uzaklaştırmak ve seramiğin mekanik mukavemetini artırmak için 1200 derece ile 1400 derece arasındaki bir sıcaklıkta bir fırında ön sinterleme işlemine tabi tutulur.
3. Sızma: Önceden sinterlenmiş SiC seramiğine daha sonra kılcal hareketle gözenekli SiC matrisine verilen erimiş silikon metali sızar. Sızma işlemi, silikonun oksidasyonunu önlemek için vakum veya inert gaz koşulları altında gerçekleştirilir.
4. Nihai sinterleme: Sızan SiC seramiği daha sonra yoğun ve tamamen reaksiyona girmiş bir SiSiC seramik oluşturmak üzere 2000 derecenin üzerindeki bir sıcaklıkta sinterlenir. Bu işlem sırasında silikon, SiSiC seramiğinin yüzeyinde bir silisyum karbür tabakası oluşturmak üzere SiC ile reaksiyona girer ve bu da mekanik özelliklerini geliştirir.
5. İşleme ve bitirme: Nihai SiSiC seramikleri, çeşitli kesme ve öğütme teknikleri kullanılarak istenen şekle ve yüzey kalitesine göre işlenir ve bitirilir. Gerektiğinde çok parlak bir yüzey elde etmek için seramiklerin yüzeyi de parlatılabilir.
SiSiC seramiklerinin üretim süreci karmaşıktır ve yüksek kaliteli ve tutarlı ürünler sağlamak için malzeme bilimi ve mühendisliğinde uzmanlık gerektirir. Ortaya çıkan seramikler son derece serttir, aşınmaya dayanıklıdır ve mükemmel termal ve kimyasal stabiliteye sahiptir, bu da onları kesme aletleri, yüksek sıcaklık fırınları ve aşınmaya dayanıklı bileşenler dahil olmak üzere çok çeşitli endüstriyel uygulamalar için uygun hale getirir.
https://www.hshightec.com/
